美光科技申请包含FeFET存储器单元层面和竖直控制栅极的存储器装置专利，从第一额外导电结构到第二额外导电结构的方向垂直于导电结构的长度的方向

金融界2025年7月14日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“包含FeFET存储...

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华为申请存储阵列的操作方法和存储器专利，降低FeFET器件的写串扰

金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“存储阵列的操作...

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